6月25日，三星、SK海力士和美光三家全球DRAM巨头在美国加州联邦法院遭遇集体诉讼。14名个人消费者和3家小型企业（含PC零售商）共同提起诉讼，指控这三家掌控全球DRAM市场九成以上份额的芯片巨头，借向AI高带宽内存（HBM）战略转型之名，协同压缩传统DRAM产能，导致DDR3、DDR4等传统内存价格在过去四年内暴涨约700%。原告将这场人为制造的供给短缺称为“RAMpocalypse”（内存末日）。
诉状的核心指控直指三巨头的战略转型逻辑。
HBM内存芯片物理尺寸约为标准DDR芯片的两倍，消耗更多晶圆面积。数据显示，2026年HBM预计将占全球DRAM晶圆产能约25%，且需求正以每年约70%的速度增长。尽管全球DRAM晶圆总产能预计增长14%，但分配给传统DRAM的产能仅增长10%。
原告认为，这本是正常的产能调配，但三巨头“同步削减产能”，以HBM转型为由大幅削减DDR3、DDR4等商用内存供应，而并非单纯的市场行为。美光被特别点名——该公司计划在2025年关闭面向消费者的Crucial DRAM业务，而据称这恰恰是该业务“历史上最赚钱的时期”。
“在一个充分竞争的大宗商品市场中，当价格大幅上涨时，通常至少会有一家生产商扩大产量以抢占市场份额，” 诉状写道， “三家公司中，没有任何一家利用其他竞争对手减产的机会扩大产能、争夺客户。相反，三家公司一起收缩供应。”
原告进一步指出，建设一座DRAM晶圆厂的成本高达150亿至200亿美元，通常需要数年时间才能投产，新进入者几乎不可能迅速打破这一寡头格局。即便芯片顺利生产，进入大型客户供应链前还需经历长达12至18个月的产品认证流程。“现实结果就是，当这三家公司限制供应时，没有任何外部竞争者能够迅速扩大产能，以更低价格与其竞争。”
本案最关键的论据之一，是三巨头并非首次卷入DRAM价格操纵指控。
诉状援引美国司法部此前针对1998年至2002年DRAM价格操纵案的调查：三星被处以3亿美元刑事罚款，SK海力士（当时为海力士）支付1.85亿美元罚款。多家公司合计罚款达7.31亿美元，多名高管被判入狱。美光当时因主动举报该价格同盟并配合调查而免于处罚。
原告认为，如今三家公司只是将当年的操纵手法换成了“HBM转型”的新包装。 当年受害者包括戴尔、康柏、惠普、苹果、IBM等PC制造商——如今，苹果再次出现在原告的证据清单中。
几天前，苹果宣布对iPad和Mac产品线全面提价。Mac电脑价格上涨约15%至20%，iPad上涨15%至25%。苹果CEO库克将此形容为“百年一遇的洪灾”，称AI热潮引发的零部件成本飙升已让公司无法继续独自承担。
多家手机厂商也已纷纷提价。三巨头在上游制造的供给缺口，已通过产业链层层转嫁，最终落在终端消费者身上。原告将苹果涨价直接援引为提起诉讼的导火索。
对消费者而言，坏消息是：即便诉讼推进，内存价格高位在短期内也很难回落。
投行Jefferies预计，2026年第三季度内存价格将较上一季度再涨40%至50%，第四季度继续环比上行30%至40%；2027年全年价格同比仍将增长40%至45%，实质性放缓最早要等到2028年。联想等多家企业已公开表示，内存高价将成为“新常态”。
目前，该诉讼由曾打赢谷歌数字广告反垄断官司的Bathaee Dunne LLP代理。若法院批准其为集体诉讼，范围将扩大为代表所有购买含DRAM产品的消费者和企业维权，原告要求三倍赔偿。但法律界分析认为，这类案件最终未必容易胜诉。
一边是AI对HBM的疯狂需求，一边是传统DRAM产能被持续挤压——这场诉讼的结果尚难预料，但内存高价的故事，远未结束。
